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IAUCN08S7N045TATMA1

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商品IAUCN08S7N045TATMA1规格参数

商品型号 :

IAUCN08S7N045TATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2000

起订量 :

2000

批次 :

2504+

包装 :

--

库存 :

34000

系列

OptiMOS™ 7

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

99A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

7V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.54 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.2V@36.5µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

35 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2376pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

98W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-LHDSO-10-1

封装/外壳

10-LSOP(0.216",5.48mm 宽)裸焊盘

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • IAUCN08S7N045TATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-LHDSO-10-1

    库存: 3420

    标准包: 1

    增量: 1

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  • IAUCN08S7N045TATMA1

    品牌: Infineon(英飞凌)/Cypress

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: PG-LHDSO-10-1

    库存: 2000

    标准包: 1

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