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IPW65R060CM8XKSA1
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- 库存：155
- 起订量：1
- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TO247-3-U06
-
描述：
MOSFET, N-CH, 650V, 45A, TO-247
- 最小包装量：1
IPW65R060CM8XKSA1其他库存
商品IPW65R060CM8XKSA1规格参数
商品型号 :
IPW65R060CM8XKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
155
系列
CoolMOS™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
45A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧@16.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.7V@440µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
52 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2462pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-U06
封装/外壳
TO-247-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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