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LSIC1MO120E0160

阶梯

美金

含税

150+

--

¥71.3392

350+

--

¥70.5376

650+

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¥69.7539

1150+

--

¥68.9874

  • 库存:1350
  • 起订量:150
  • 倍数:150

货期:

大陆: 2-3周交期

数量:

- +

合计:

¥10700.88

  • 最小包装量:1
  • 批次:24+

商品LSIC1MO120E0160规格参数

商品型号 :

LSIC1MO120E0160

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

1

起订量 :

150

批次 :

24+

包装 :

--

库存 :

1350

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

200 毫欧@10A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

50 nC@20 V

Vgs(最大值)

+22V,-6V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

890pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

125W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247AD

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

LSIC1MO120

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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