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IPD60R360P7S-HXY
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品牌：
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分类：
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封装：
TO-252-2L
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描述：
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
- 最小包装量：2500
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商品IPD60R360P7S-HXY规格参数
商品型号 :
IPD60R360P7S-HXY
类目 :
品牌 :
HXY MOSFET(华轩阳电子)
最小包装量 :
2500
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