IGB110S10S1XTMA1

商品型号 :

IGB110S10S1XTMA1

类目 :

半导体开发工具

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

99

系列

CoolGaN™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(氮化镓)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A(Ta),23A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11 毫欧@10A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.9V@3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.4 nC@5 V

Vgs(最大值)

±6.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

340pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),15W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TSON-4-2

封装/外壳

4-PowerTDFN

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99