百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > MIW40N65AT2Y-BP
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-247AB
描述:
IGBT DISCRETE,TO-247AB
商品型号 :
MIW40N65AT2Y-BP
类目 :
品牌 :
MCC(美微科)
最小包装量 :
360
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
管件
库存 :
358
系列
--
包装
管件
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120A
不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.9V@15V,40A
功率 - 最大值
187W
开关能量
1.34mJ(导通),910µJ(关断)
输入类型
标准
栅极电荷
140 pC
25℃ 时 Td(开/关)值
55ns/129ns
测试条件
400V,40A,20 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
79ns
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AB
ECCN
EAR99
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