TSM250NH10DCR RLG

商品型号 :

TSM250NH10DCR RLG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Taiwan Semiconductor(台湾半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

11

批次 :

2512+

包装 :

--

库存 :

2500

系列

PerFET™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.4A(Ta),31A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

25 毫欧@15.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.4nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

513pF@60V

功率 - 最大值

54W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装,可润湿侧翼

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

8-PDFNU(4.9x5.75)

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99