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    半导体开发工具IGT65R035D2ATMA1采购_元器件采购商城
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    IGT65R035D2ATMA1

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    商品IGT65R035D2ATMA1规格参数

    商品型号 :

    IGT65R035D2ATMA1

    类目 :

    半导体开发工具

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    598

    系列

    CoolGaN™ G5

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    FET 类型

    N 通道

    技术

    GaNFET(氮化镓)

    漏源电压(Vdss)

    650V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    49A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    --

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    42 毫欧@13A

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.6V@4.2mA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    7.7 nC@3 V

    Vgs(最大值)

    -10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    540pF@400 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    167W(Tc)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    表面贴装型

    供应商器件封装

    PG-HSOF-8

    封装/外壳

    8-PowerSFN

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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