IV2Q06060D7Z

商品型号 :

IV2Q06060D7Z

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Inventchip(瞻芯电子)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

带

库存 :

60

系列

--

包装

带

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

78 毫欧@15A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@7.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

94.7 nC@18 V

Vgs(最大值)

+20V,-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2000pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

174W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片)

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99