G3F25MT06J-TR

商品型号 :

G3F25MT06J-TR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带（CT）

库存 :

690

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

108A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

27.5 毫欧@35A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.3V@15mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

108 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2939pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

343W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

ECCN

EAR99