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GT880P15M

阶梯

美金

含税

1+

$23.207

¥192.704

10+

$14.8741

¥123.5101

50+

$11.2813

¥93.6763

100+

$10.121

¥84.042

关税
  • 库存:248
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥192.704

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:800

商品GT880P15M规格参数

商品型号 :

GT880P15M

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

248

系列

SGT

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

100 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

46 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

3350pF@75 V

功率耗散(最大值)

138W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

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