TK125N60Z1,S1F

商品型号 :

TK125N60Z1,S1F

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

10

系列

DTMOSVI

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

20A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

125 毫欧@6A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@730µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

28 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1620pF@300 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

150W(Tc)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247

封装/外壳

TO-247-3

ECCN

EAR99