GP3T016A120H

商品型号 :

GP3T016A120H

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

SemiQ

最小包装量 :

10

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

146

系列

QSiC™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

132A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

23 毫欧@50A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

260 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6779pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

484W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4

封装/外壳

TO-247-4

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99