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G3F45MT06J-TR

阶梯

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¥1118.4088

10+

$93.7388

¥778.3789

50+

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100+

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¥626.4875

关税
  • 库存:608
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

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合计:

¥1118.4088

  • 包装:Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 最小包装量:800

商品G3F45MT06J-TR规格参数

商品型号 :

G3F45MT06J-TR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

800

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

Digi-Reel® 得捷定制卷带

库存 :

608

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

56A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

15V,18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

54 毫欧@20A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.3V@8mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

55 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1640pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

187W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

ECCN

EAR99

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