G3F65MT12K

商品型号 :

G3F65MT12K

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

544

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss)

1200V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

35A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

18V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

86 毫欧@15A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4,3V@10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

55 nC@18 V

Vgs(最大值)

+22V,-10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1298pF@800 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

153W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-4

封装/外壳

TO-247-4

ECCN

EAR99