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TK7R2E15Q5,S1X

阶梯

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  • 包装:管件
  • 最小包装量:50

商品TK7R2E15Q5,S1X规格参数

商品型号 :

TK7R2E15Q5,S1X

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

317

系列

U-MOSX-H

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

150V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

130A(Ta),84A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

8V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

7.2 毫欧@42A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@1.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

66 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4970pF@75 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

230W(Tc)

工作温度

175℃

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

ECCN

EAR99

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