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PMPB33XPZ

阶梯

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含税

1+

$6.0835

¥50.3504

10+

$3.7467

¥31.0097

50+

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100+

$2.391

¥19.7889

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$1.8017

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关税
  • 库存:1779
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥50.3504

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品PMPB33XPZ规格参数

商品型号 :

PMPB33XPZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

1779

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.5A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

1.8V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

37 毫欧@5.5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1575pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.7W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN2020MD-6

封装/外壳

6-UDFN 祼焊盘

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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