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IMCQ120R053M2HXTMA1
阶梯
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- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-HDSOP-22-3
-
描述：
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 43A, HDSOP
- 最小包装量：1
IMCQ120R053M2HXTMA1其他库存
商品IMCQ120R053M2HXTMA1规格参数
商品型号 :
IMCQ120R053M2HXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
522
系列
CoolSiC™ G2
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1200V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
52.6 毫欧@13.2A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.1V@4.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
32.8 nC@18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1270pF@800 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
234W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HDSOP-22-3
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块
ECCN
EAR99
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