百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > BL3N150-B
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TO-263
描述:
BL3N150是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源(SMPS)、高速开关及通用应用。
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标准包: 800
增量: 1
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