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GT055N06T

阶梯

美金

含税

1+

$15.1225

¥125.5727

10+

$9.5393

¥79.2111

50+

$7.1215

¥59.1347

100+

$6.3416

¥52.6584

500+

$4.9702

¥41.2709

关税
  • 库存:38
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥125.5727

  • 包装:管件
  • 最小包装量:50

商品GT055N06T规格参数

商品型号 :

GT055N06T

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GOFORD(谷峰)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

38

系列

--

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

90A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

30 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2160pF@30 V

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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