TP65H030G4PWS

商品型号 :

TP65H030G4PWS

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Transphorm

最小包装量 :

30

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

1436

系列

SuperGaN®

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

55.7A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

12V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

41 毫欧@30A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.8V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

24.5 nC@12 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1500pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

192W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-247-3

封装/外壳

TO-247-3

基本产品编号

TP65H030

ECCN

EAR99