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    场效应管(MOSFET)IMZC120R012M2HXKSA1采购_元器件采购商城

    IMZC120R012M2HXKSA1

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    商品IMZC120R012M2HXKSA1规格参数

    商品型号 :

    IMZC120R012M2HXKSA1

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Infineon(英飞凌)/Cypress

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    200

    系列

    CoolSiC™ G2

    包装

    管件

    FET 类型

    N 通道

    技术

    SiCFET(碳化硅)

    漏源电压(Vdss)

    1200V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    129A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    15V,18V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    12 毫欧@57A,18V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.1V@17.8mA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    124 nC@18 V

    Vgs(最大值)

    +23V,-7V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    4050pF@800 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    480W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    --

    资质

    --

    安装类型

    通孔

    供应商器件封装

    PG-TO247-4-17

    封装/外壳

    TO-247-4

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • IMZC120R012M2HXKSA1_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      IMZC120R012M2HXKSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TO247-4-17

      库存： 538

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    • IMZC120R012M2HXKSA1_场效应管(MOSFET)
      IMZC120R012M2HXKSA1

      品牌： Infineon(英飞凌)/Cypress

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PG-TO247-4-17

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