IMWH170R1K0M1XKSA1

商品型号 :

IMWH170R1K0M1XKSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

2

起订量 :

2

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1

系列

CoolSiC™

包装

托盘

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

1700V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.4A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

12V,15V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

880 毫欧@1A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.7V@1.2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

5.5 nC@12 V

Vgs(最大值)

15V,12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

233pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

70W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

PG-TO247-3-U04

封装/外壳

TO-247-3

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99