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IPT60R099CM8XTMA1
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- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-HSOF-8-2
-
描述：
MOSFET, N-CH, 600V, 30A, HSOF
- 最小包装量：1
IPT60R099CM8XTMA1其他库存
商品IPT60R099CM8XTMA1规格参数
商品型号 :
IPT60R099CM8XTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1868
系列
CoolMOS™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
99 毫欧@10.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.7V@260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
31 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1330pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
186W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-HSOF-8-2
封装/外壳
8-PowerSFN
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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