G3F09MT12GB4-T

商品型号 :

G3F09MT12GB4-T

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

48

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

托盘

库存 :

48

系列

--

包装

托盘

技术

碳化硅(SiC)

配置

4 N 沟道(全桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

104A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

12.5 毫欧@90A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.3V@70mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

392nC@18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9850pF@800V

功率 - 最大值

216W(Tc)

工作温度

-40℃~175℃

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

SiCPAK G

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99