百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > E3M0900170J-TR
阶梯
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含税
800+
$21.5756
¥179.1573
2400+
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¥165.4179
货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-263-7
描述:
SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-263
商品型号 :
E3M0900170J-TR
类目 :
品牌 :
CREE/WOLFSPEED
最小包装量 :
800
起订量 :
800
批次 :
--
包装 :
卷带(TR)
库存 :
722
系列
--
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
1700V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
1.25 欧姆@1.99A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.2V@550µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC@15 V
Vgs(最大值)
+19V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
202pF@1200 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
41W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263-7
封装/外壳
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 80
标准包: 1
增量: 1
批次: 2626+
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¥33.7165
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100+
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500+
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