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SH8KB5TB1

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商品SH8KB5TB1规格参数

商品型号 :

SH8KB5TB1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

10

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

110

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.5A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

55 毫欧@4.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3.5nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

150pF@20V

功率 - 最大值

2W(Ta)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOP

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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  • SH8KB5TB1

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-SOP

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    官方客服电话:400-900-7975

  • SH8KB5TB1

    品牌: Rohm(罗姆)

    分类: 场效应管(MOSFET)

    封装: 8-SOP

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