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IMW65R060M2HXKSA1
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- 倍数：1
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-TO247-3-40
-
描述：
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 32.8A, TO-247
- 最小包装量：1
IMW65R060M2HXKSA1其他库存
商品IMW65R060M2HXKSA1规格参数
商品型号 :
IMW65R060M2HXKSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
531
系列
CoolSiC™
包装
管件
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
650V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
32.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,20V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
55 毫欧@15.4A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.6V@3.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC@18 V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
669pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
130W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-40
封装/外壳
TO-247-3
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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