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ISA170230C04LMDSXTMA1
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货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
PG-DSO-8-920
-
描述：
MOSFET, COMP N/P-CH, 40V, 9.6A, SOIC
- 最小包装量：1
ISA170230C04LMDSXTMA1其他库存
商品ISA170230C04LMDSXTMA1规格参数
商品型号 :
ISA170230C04LMDSXTMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
3678
系列
OptiMOS™ 3
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A(Ta),9.6A(Tc),6.6A(Ta),8.8A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧@9.6A,10V,23 毫欧@8.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19.5nC@10V,19nC@10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100pF@20V,2500pF@20V
功率 - 最大值
1.4W(Ta),2.5W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
PG-DSO-8-920
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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