DMG8822UTS-13

商品型号 :

DMG8822UTS-13

类目 :

其它

品牌 :

DIODES(美台)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

23+

包装 :

--

库存 :

1663

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)共漏

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4.9A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

25 毫欧@8.2A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

900mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

9.6nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

841pF@10V

功率 - 最大值

870mW

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

供应商器件封装

8-TSSOP

基本产品编号

DMG8822

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99