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SIC653ACD-T1-GE3
阶梯
美金
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10+
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¥16.5199
200+
$1.2793
¥9.7414
800+
$0.8854
¥6.7415
3000+
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¥4.7612
6000+
$0.5874
¥4.4729
30000+
$0.5382
¥4.0978
- 库存：2459
- 起订量：10
- 倍数：2
货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
QFN
-
描述：
场效应管(MOSFET) SIC653ACD-T1-GE3 QFN
- 最小包装量：3000
SIC653ACD-T1-GE3其他库存
商品SIC653ACD-T1-GE3规格参数
商品型号 :
SIC653ACD-T1-GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
3000
起订量 :
10
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2459
系列
VRPower®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
输出配置
半桥
应用
同步降压转换器
接口
PWM
负载类型
电感,电容性,电阻
技术
功率 MOSFET
导通电阻(典型值)
--
电流 - 输出/通道
50A
电流 - 峰值输出
100A
电压 - 供电
4.5V~5.5V
电压 - 负载
4.5V~24V
工作温度
-40℃~125℃(TA)
等级
--
资质
--
特性
自举电路,二极管仿真
故障保护
超温,击穿,UVLO
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
PowerPAK® MLP55-31L
供应商器件封装
PowerPAK® MLP55-31L
ECCN
EAR99
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香港交货
大陆交货(含税)
-
库存： 2927
标准包： 3000
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¥3.5521
3000+
$0.4441
¥3.3814
大陆: 3-5工作日香港: -- -
库存： 6302
标准包： 3000
增量： 1
1+
--
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