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NTD3055L170T4G

阶梯

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¥11.0133

200+

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¥6.4943

800+

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2500+

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5000+

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25000+

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¥2.7319

  • 库存:3092
  • 起订量:10
  • 倍数:2

货期:

大陆: 3-6工作日
香港: 5-7工作日

数量:

- +

合计:

¥110.133

  • 最小包装量:2500

商品NTD3055L170T4G规格参数

商品型号 :

NTD3055L170T4G

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

2500

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

3092

系列

--

包装

卷带(TR)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

9A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

170 毫欧@4.5A,5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

10 nC@5 V

Vgs(最大值)

±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

275pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.5W(Ta)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DPAK

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

ECCN

EAR99

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