BSH111BKR

商品型号 :

BSH111BKR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

3000

起订量 :

3000

批次 :

25+

包装 :

--

库存 :

6000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

55V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

210mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4 欧姆@200mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.3V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

0.5 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

30pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

302mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

BSH111

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99