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货期:
品牌:
分类:
描述:
INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Module
商品型号 :
FF2600UXTR33T2M1BPSA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
2
系列
CoolSiC™
包装
盒
技术
碳化硅(SiC)
配置
2 个 N 通道(半桥)
FET 功能
--
漏源电压(Vdss)
3300V(3.3kV)
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
720A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3.1 毫欧@750A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.55V@675mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3750nC@15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
152000pF@1800V
功率 - 最大值
--
工作温度
-40℃~175℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
AG-XHP2K33
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 2
标准包: 1
增量: 1
1+
--
¥35815.6297
| 阶梯 | 折后价(含税) | 原价 |
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库存: 1
标准包: 1
增量: 1
1+
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