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FF2600UXTR33T2M1BPSA1

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  • 品牌:

    Infineon(英飞凌)/Cypress

  • 分类:

    其它

  • 描述:

    INFINEON - FF2600UXTR33T2M1BPSA1 - Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 720 A, 3.3 kV, 3100 µohm, Module

  • 最小包装量:1

商品FF2600UXTR33T2M1BPSA1规格参数

商品型号 :

FF2600UXTR33T2M1BPSA1

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2

系列

CoolSiC™

包装

盒

技术

碳化硅(SiC)

配置

2 个 N 通道(半桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

3300V(3.3kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

720A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.1 毫欧@750A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.55V@675mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

3750nC@15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

152000pF@1800V

功率 - 最大值

--

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

AG-XHP2K33

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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