IRF6794MTR1PBF

商品型号 :

IRF6794MTR1PBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

91

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

324

系列

HEXFET®

包装

剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

32A(Ta),200A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.7 毫欧@32A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.35V@100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

47 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4420pF@13 V

FET 功能

肖特基二极管(体)

功率耗散(最大值)

2.8W(Ta),100W(Tc)

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DIRECTFET™ MX

封装/外壳

DirectFET™ 等容 MX

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99