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FDP039N08B-F102

阶梯

美金

含税

66+

$7.3938

¥56.4838

100+

$7.02

¥53.6286

500+

$6.6625

¥50.8975

1000+

$6.2888

¥48.0423

10000+

$5.915

¥45.1871

关税
  • 库存:510
  • 起订量:66
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3727.9308

  • 最小包装量:1
  • 批次:2201+

商品FDP039N08B-F102规格参数

商品型号 :

FDP039N08B-F102

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

1

起订量 :

66

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

510

系列

PowerTrench®

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.9 毫欧@100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

133 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9450pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

214W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220-3

封装/外壳

TO-220-3

ECCN

EAR99

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