PSMN2R0-60ES,127

商品型号 :

PSMN2R0-60ES,127

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1

起订量 :

108

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

996

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.2 毫欧@25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

137 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

9997pF@30 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

338W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

I2PAK

封装/外壳

TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA

基本产品编号

PSMN2R0

REACH 状态

不受 REACH影响