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PMCXB1000UEZ

阶梯

美金

含税

1453+

$0.3358

¥2.5652

10000+

$0.2994

¥2.2872

100000+

$0.2508

¥1.9157

关税
  • 库存:5000
  • 起订量:1453
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3727.2356

  • 最小包装量:1
  • 批次:2101+

商品PMCXB1000UEZ规格参数

商品型号 :

PMCXB1000UEZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1453

批次 :

2101+

包装 :

--

库存 :

5000

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道互补型

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

590mA(Ta),410mA(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

670 毫欧@590mA,4.5V,1.4 欧姆@410mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

950mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1.05nC@4.5V,1.2nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

30.3pF@15V,43.2pF@15V

功率 - 最大值

285mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

6-XFDFN 祼焊盘

供应商器件封装

DFN1010B-6

基本产品编号

PMCXB1000

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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