IRFH6200TRPBF

商品型号 :

IRFH6200TRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

421

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

4000

系列

HEXFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

49A(Ta),100A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

2.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

0.95 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.1V@150µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

230 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

10890pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.6W(Ta),156W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

IRFH6200

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99