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IRFH4257DTRPBF

阶梯

美金

含税

261+

$1.8688

¥14.2761

500+

$1.69

¥12.9106

1000+

$1.551

¥11.8489

10000+

$1.3829

¥10.5648

100000+

$1.1587

¥8.8517

关税
  • 库存:1616
  • 起订量:261
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3726.0621

  • 最小包装量:1
  • 批次:1501+

商品IRFH4257DTRPBF规格参数

商品型号 :

IRFH4257DTRPBF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

International Rectifier

最小包装量 :

1

起订量 :

261

批次 :

1501+

包装 :

--

库存 :

1616

系列

HEXFET®

包装

散装

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

25A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.4 毫欧@25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@35µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

15nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1321pF@13V

功率 - 最大值

25W,28W

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerVDFN

供应商器件封装

双 PQFN(5x4)

基本产品编号

IRFH4257

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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