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FS13MR12W2M1HB70BPSA1

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商品FS13MR12W2M1HB70BPSA1规格参数

商品型号 :

FS13MR12W2M1HB70BPSA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

2

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

3816

系列

CoolSiC™

包装

托盘

技术

碳化硅(SiC)

配置

6 N-沟道(3 相桥)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

62.5A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

11.7 毫欧@62.5A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.15V@28mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

200nC@18V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6050pF@800V

工作温度

--

安装类型

--

封装/外壳

--

供应商器件封装

--

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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