2SJ358-T1-AZ

商品型号 :

2SJ358-T1-AZ

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

390

批次 :

2001+

包装 :

--

库存 :

2340

系列

--

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

300 毫欧@1.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

23.9 nC@10 V

Vgs(最大值)

+10V,-20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

600pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2W(Ta)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

MP-2

封装/外壳

TO-243AA

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99