2SJ606-ZK-E1-AY

商品型号 :

2SJ606-ZK-E1-AY

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

NEC(日电电子)

最小包装量 :

1

起订量 :

114

批次 :

1001+

包装 :

--

库存 :

700

系列

--

包装

散装

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

83A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

15 毫欧@42A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

120 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4800pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

120W

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-220SMD

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99