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TK3A65DA(STA4,QM)

阶梯

美金

含税

610+

$0.7994

¥6.1067

1000+

$0.7371

¥5.631

10000+

$0.6572

¥5.0202

100000+

$0.5506

¥4.2059

关税
  • 库存:10000
  • 起订量:610
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3725.087

  • 最小包装量:1
  • 批次:1701+

商品TK3A65DA(STA4,QM)规格参数

商品型号 :

TK3A65DA(STA4,QM)

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

610

批次 :

1701+

包装 :

--

库存 :

10000

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

2.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.51 欧姆@1.3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.4V@1mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

490pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

35W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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