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场效应管(MOSFET)RQA0002DNSTB-E采购_元器件采购商城

RQA0002DNSTB-E

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商品RQA0002DNSTB-E规格参数

商品型号 :

RQA0002DNSTB-E

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

84

批次 :

1901+

包装 :

--

库存 :

9270

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

16V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.8A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

750mV@1mA

Vgs(最大值)

±5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

102pF@0 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

15W(Tc)

工作温度

150℃

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

2-HWSON(5x4)

封装/外壳

3-DFN 祼焊盘

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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