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RJK03E0DNS-00#J5
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货期：
-
品牌：
-
分类：
-
封装：
8-HWSON（3.3x3.3）
-
描述：
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R
- 最小包装量：1
- 批次：1201+
RJK03E0DNS-00#J5其他库存
商品RJK03E0DNS-00#J5规格参数
商品型号 :
RJK03E0DNS-00#J5
类目 :
品牌 :
Renesas(瑞萨)/Intersil
最小包装量 :
1
起订量 :
271
批次 :
1201+
包装 :
--
库存 :
45000
系列
--
包装
散装
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Ta)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
5.6 毫欧@15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
--
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.2 nC@4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3050pF@10 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
工作温度
150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-HWSON(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
REACH 状态
未明确供应商
ECCN
EAR99
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