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场效应管(MOSFET)RJK6011DP3-A0#J2采购_元器件采购商城

RJK6011DP3-A0#J2

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商品RJK6011DP3-A0#J2规格参数

商品型号 :

RJK6011DP3-A0#J2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Renesas(瑞萨)/Intersil

最小包装量 :

1

起订量 :

304

批次 :

1801+

包装 :

--

库存 :

45000

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

100mA

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

--

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

--

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

--

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

--

工作温度

--

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-223

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99

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