百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > RJK5012DPP-MG#T2
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-220FN
描述:
RJK5012DPP-MG#T2
商品型号 :
RJK5012DPP-MG#T2
类目 :
品牌 :
Renesas(瑞萨)/Intersil
最小包装量 :
1
起订量 :
150
批次 :
1901+
包装 :
--
库存 :
478
系列
--
包装
散装
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
620 毫欧@6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V@1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC@10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100pF@25 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
30W(Tc)
工作温度
150℃
等级
--
资质
--
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220FN
封装/外壳
TO-220-3 整包
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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