PSMN1R9-40PL127

商品型号 :

PSMN1R9-40PL127

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

NXP(恩智浦)/Freescale

最小包装量 :

1

起订量 :

99

批次 :

1401+

包装 :

--

库存 :

2000

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

150A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.7 毫欧@25A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

230 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

13200pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

349W(Ta)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

PSMN1R9

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99