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PMV25ENEAR

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美金

含税

1334+

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¥2.7937

10000+

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100000+

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¥2.0866

关税
  • 库存:1473
  • 起订量:1334
  • 倍数:1

货期:

大陆: 13-16工作日
香港: 10-13工作日

数量:

- +

合计:

¥3726.7958

  • 最小包装量:1
  • 批次:2201+

商品PMV25ENEAR规格参数

商品型号 :

PMV25ENEAR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Nexperia(安世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1334

批次 :

2201+

包装 :

--

库存 :

1473

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

5.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

24 毫欧@5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

18 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

597pF@15 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

460mW(Ta),6.94W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-236AB

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

PMV25

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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